近年来，深紫外半导体激光器已成为全球光电领域争夺的“技术制高点”。日本名城大学、美国康奈尔大学等顶尖机构一直在该领域角逐。而由于禁运和技术封锁，我国在高端紫外光源器件上面临“卡脖子”风险。该项专利标志着我国在深紫外激光器的基础架构设计上走出了属于自己的创新之路。利用“二维电子气/空穴气”巧妙化解AlGaN材料天然弊端的构思，展现了中国科学家的顶尖智慧。

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