近日，吉林大学物理学院计算方法与软件国际中心付钰豪教授、材料科学与工程学院张立军教授联合美国密苏里大学David J.Singh教授在宽温区近零热膨胀材料设计方面取得突破进展：基于数据驱动材料设计，结合空位工程和填充原子掺入，理论预测了宽温区（300K-600K）近零热膨胀的立方硫族化物半导体。
（信息来源：吉林大学网站。https://news.jlu.edu.cn/info/1021/61852.htm）
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近日，吉林大学物理学院计算方法与软件国际中心付钰豪教授、材料科学与工程学院张立军教授联合美国密苏里大学David J.Singh教授在宽温区近零热膨胀材料设计方面取得突破进展：基于数据驱动材料设计，结合空位工程和填充原子掺入，理论预测了宽温区（300K-600K）近零热膨胀的立方硫族化物半导体。
（信息来源：吉林大学网站。https://news.jlu.edu.cn/info/1021/61852.htm）