12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。
(信息来源:澎湃新闻。https://www.thepaper.cn/newsDetail_forward_25611362)
12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。
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